美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關(guān)設(shè)備

　　中國網(wǎng)1月30日訊 據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報道，美國陸軍研究人員正在向行業(yè)尋求開發(fā)最先進(jìn)的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率電子技術(shù)，用于下一代高壓開關(guān)設(shè)備。1月28日，陸軍發(fā)布了一份關(guān)于“碳化硅高壓功率技術(shù)”(SIC HVPT)項目的招標(biāo)公告(W911NF-13-R-0002)，重點關(guān)注SiC半導(dǎo)體開關(guān)設(shè)計、外延材料生長、半導(dǎo)體器件制造和芯片堆棧封裝技術(shù)。陸軍研究人員感興趣的領(lǐng)域包括增加高效電流密度，采用更大尺寸的芯片堆棧，更高的開關(guān)頻率，阻斷電壓大于10000伏。

　　該項目將重點開發(fā)SiC高壓雙極半導(dǎo)體開關(guān)，最終單芯片阻斷電壓在15000V ~24000V，電流負(fù)荷10A。這些開關(guān)應(yīng)能在最大導(dǎo)通電流額定值時關(guān)閉。美國陸軍正在考慮使用一種高等級配置的高壓開關(guān)，脈沖電壓15000V，最小電壓10000V，電流峰值30A，頻率為35kHz。另一種應(yīng)用是利用高壓開關(guān)和二極管控制Marx電源20000V存儲電容器的放電，平均電流10A，短路電流100A。

　　陸軍希望開發(fā)一種封裝技術(shù)，可提供電壓隔離、傳熱、電流和頻率，從而使SiC器件性能擺脫封裝局限，盡量減小器件體積。

　　回應(yīng)日期截止到2月28日。(工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報研究所 陳皓)